Асессоров В.В.

 Изобретение относится к области электронной техники. Целью является улучшение энергетических характеристик транзисторов. Цель изобретения улучшение энергетических характеристик транзисторов. Способ изготовления мощных многоэмитерных СВЧ транзисторов с балластными резисторами заключается в создании на монокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эммитеров, формирован...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Цель изобретения - увеличение выходной мощности коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла. Транзистор содержит диэлектрическое основание, полупроводниковый кристалл с транзисторными ячейками, балластными резисторами и коллекторными площадками. Длина балластного резистора монотонно убыв...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления мощных СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами. Сущность изобретения: при изготовлении СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами в кремниевой подложке последовательно формируют области базы и эмиттера, область эмиттера осуществляют в две стадии, при этом после проведения пе...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок. Сущность изобретения: в СВЧ-транзистоpной микросборке, включающей первый полупроводниковый кристалл с транзисторными структурами, второй полупроводниковый кристалл с МПД-конденсатором и встроенным резистором и группу проволочных перемычек, соединяющ...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок с внутренними согласующими цепями. Сущность изобретения: в СВЧ-транзисторной микросборке, содержащей полупроводниковый кристалл, кристалл МДП-конденсатора с встроенным резистором, группу проволочных перемычек, согласно изобретению, на кристалле МДП-к...