Гаганов В.В.

 Способ изготовления МДП-конденсаторов. Использование: приборостроение, микроэлектроника. Сущность изобретения: МДП-конденсаторы с многослойным диэлектриком. На полупроводниковую пластину наносят диэлектрические и металлические слои. Формируют группами верхние металлические обкладки. Число обкладок в группе определяют с учетом технологических и конструктивных допусков. Площади обкладок в г...

 Использование: в полупроводниковых приборах, в частности в способах изготовления полупроводниковых компонентов СВЧ-широкополосных мощных транзисторных микросборок с согласующими LC-цепями. Сущность изобретения: способ включает формирование на кремневой пластинке активных областей компонента с локальными изолирующими слоями диэлектрика, создание двуслойного диэлектрика двуокиси кремния и н...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления мощных СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами. Сущность изобретения: при изготовлении СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами в кремниевой подложке последовательно формируют области базы и эмиттера, область эмиттера осуществляют в две стадии, при этом после проведения пе...

 Использование: полупроводниковая электроника, конструкция полупроводникового переключающего прибора-тиристора. Сущность изобретения: планарный переключающий полупроводниковый прибор, содержащий низкоомную подложку с выращенным на ее поверхности эпитаксиальным высокоомным слоем, в котором созданы р-n-р- и многоколлекторный n-р-n-транзисторы, при этом область базы n-р-n- транзистора одновре...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок. Сущность изобретения: в СВЧ-транзистоpной микросборке, включающей первый полупроводниковый кристалл с транзисторными структурами, второй полупроводниковый кристалл с МПД-конденсатором и встроенным резистором и группу проволочных перемычек, соединяющ...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок с внутренними согласующими цепями. Сущность изобретения: в СВЧ-транзисторной микросборке, содержащей полупроводниковый кристалл, кристалл МДП-конденсатора с встроенным резистором, группу проволочных перемычек, согласно изобретению, на кристалле МДП-к...