Велигура Г.А.

  (19) SU (и) 533157 Al (51) 5 Н01ЕИ 28 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) к лвтогскомх свидкткльству (21) 2184222/25 (22) 2?.10.75 (46) 30.1 0.93 Бал. Na 39-40 (?2) Булгаков С.С.; Велиара ГА; Ивановский ГФ.; Лобов И.Е; Майшев ЮП (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 533157 Изобрете...

 Изобретение относится к области электронной техники. Целью является улучшение энергетических характеристик транзисторов. Цель изобретения улучшение энергетических характеристик транзисторов. Способ изготовления мощных многоэмитерных СВЧ транзисторов с балластными резисторами заключается в создании на монокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эммитеров, формирован...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции мощных СВЧ генераторных, линейных и импульсных транзисторов. Цель изобретения - увеличение выходной мощности, повышение стабильности и надежности в рабочем режиме за счет улучшения токостабилизирующих свойств резисторов. Балластные эмиттерные тонкопленочные резисторы выполнены из пленок CoSi2 или VSi2 , величина к...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления мощных СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами. Сущность изобретения: при изготовлении СВЧ-транзисторных структур со стабилизирующими эмиттерными резисторами в кремниевой подложке последовательно формируют области базы и эмиттера, область эмиттера осуществляют в две стадии, при этом после проведения пе...

 Использование: в микроэлектронике, в частности в производстве полупроводниковых приборов при подготовке кристаллов к монтажу в корпус. Сущность изобретения: на коллекторную сторону пластины со сформированными структурами полупроводниковых приборов последовательно наносят слой алюминия и германия. Пластины разделяют на кристаллы и проводят напайку кристаллов на кристаллодержатель. После на...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции СВЧ-транзисторных широкополосных микросборок с внутренними согласующими цепями. Сущность изобретения: в СВЧ-транзисторной микросборке, содержащей полупроводниковый кристалл, кристалл МДП-конденсатора с встроенным резистором, группу проволочных перемычек, согласно изобретению, на кристалле МДП-к...