Смаль Игорь Вацлавович[BY]

 Использование: в микроэлектронике, в частности способах создания накопительных конденсаторов УБИС ДЗУПВ. Сущность изобретения: способ предусматривает осаждение легированных пленок поликристаллического кремния с нанесением островкового подслоя толщиной 2-9,5 нм с последующим его отжигом в смеси гексафторида вольфрама с инертным газом /соотношение (1:5):(1:50)/ при 250-300 oC и давлении 15-...