Сычик Василий Андреевич[BY]

 Использование: в вычислительной технике, для построения репрограммирующих запоминающих устройств. Сущность изобретения: элемент памяти содержит полупроводниковое основание в виде монокристаллического слоя либо поликристаллического пленочного слоя, спаренные биполярные транзисторы с металлизацией, разделенные слоями изоляции, выводы записи, считывания, стирания и выводы источника питания....

 Изобретение относится к радиоизмерительным устройствам и может быть использовано для эффективного измерения напряжений постоянного тока в высоковольтных цепях. Сущность изобретения: устройство для измерения высоких напряжений постоянного тока содержит делитель 1 RC-типа, верхнее резистивное плечо 2, которое соединено с высоковольтной цепью 3, нижнее емкостное плечо делителя 1, состоящее и...

 Использование: устройство для разделения сыпучих смесей, порошковых материалов по фракциям и может быть использовано в радиоэлектронной, строительной и горнодобывающей промышленности. Сущность изобретения: электросепаратор содержит корпус, бункер, питатель, осадительные электроды, коронирующий электрод, приемники продуктов разделения. Сепаратор снабжен двумя индукционными электродами, рас...

 Использование: в радиоизмерительной технике для эффективного измерения постоянных напряжений в высоковольтных цепях. Сущность изобретения: способ измерения высокого напряжения постоянного тока заключается в том, что воздействуют высоким напряжением на высоковольтное плечо емкостного делителя, электрический сигнал с низковольтного плеча емкостного делителя коммутируют, усиливают и регистри...

 Использование: в электронно-оптических и космических системах в качестве функциональных элементов источников электроэнергии. Сущность: n-область фотовольтаического преобразователя представляет собой слой: сильнолегированный слой n-типа, слой n-типа, варизонный слой n-типа. p-область преобразователя содержит варизонный слой p-типа и сильнолегированный слой p-типа. p-переход реализован на о...