Хачатрян Юрий Михайлович[BY]

 Использование: в вычислительной технике, для построения репрограммирующих запоминающих устройств. Сущность изобретения: элемент памяти содержит полупроводниковое основание в виде монокристаллического слоя либо поликристаллического пленочного слоя, спаренные биполярные транзисторы с металлизацией, разделенные слоями изоляции, выводы записи, считывания, стирания и выводы источника питания....