Сальник З.А.

  Изобретение относится к полупроводниковой металлургии. Сущность изобретения: кристаллы кремния выращивают методом Чохральского при наложении постоянного магнитного поля с индукцией 0,03 0,06 Тл с вращением тигля и кристалла. Тигель используют со сферическим дном. Соотношение диаметров тигля dт и кристалла dкр dт 3,15dкр. 3 ил. 1 табл. Изобретение относится к полупроводниковой металлургии...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния методом Чохральского с последующим их применением при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности мощных и силовых транзисторов, силовых диодов, тиристоров и т. д., и позволяет повысить выход в годную продукцию как при выращивании монокристаллического кремния, так и при изготовлении полупроводниковых приборов на основе та...

 Цель изобретения - управление концентрацией кислорода (получение заданной величины Nо) в бездислокационных монокристаллах кремния, выращиваемых по методу Чохральского. Эта цель достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния по Чохральскому с использованием установленного внутри нагревателя кварцевого тигля диаметром 300 30 мм при отношении площади поверхности контакта...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского с однородным распределением кислорода по всей длине кристалла при обеспечении его бездислокационной структуры, что позволяет использовать эти кристаллы в производстве интегральных схем с высоким уровнем интеграции. Это достигается тем, что в способе выращивания монокристаллов кремния вытягиванием на вращающу...