Бочкарев В.Ф.

 Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: по способу получения эпитаксиальных пленок металлов, диэлектриков и ВТСП-керамики путем магнетронного или ионно-плазменного высокочастотного распыления материала мишени при электрическом смешении на подложке на подложку подают высокочастотное смешение с т...

 Использование: для получения тонких пленок от аморфного до эпитаксиального состояния с заданными стехиометрическими параметрами. Сущность изобретения: установка, содержащая корпус с рабочей и катодной камерами, соединенными диафрагмой с калиброванным отверстием, систему напуска рабочего газа, систему откачки, соосно калиброванному отверстию расположенные накаливаемый катод, анод и соленои...

 Использование: получение высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Сущность изобретения: высокотемпературная сверхпроводящая керамика содержит окись иттрия 16,63 - 16,80 мас.%, окись бария 45,04 - 45,51 мас.%, окись меди 35,33 - 35,69 мас.% и окись циркония 2,00 - 3,00 мас.%. 3 ил. Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводящих материалов, используемых при изг...