Ракчеев А.П.
Изобретатель Ракчеев А.П. является автором следующих патентов:

Способ лечения ониходистрофии
Изобретение относится к дерматологии, а именно к способам лечения ониходистрофии. Сущность изобретения: пораженную ногтевую пластину удаляют импульсным излучением СО2-лазера с плотностью энергии лазерного излучения на поверхности ногтевой пластины 3-50 Дж/см2 и длительностью импульса лазерного излучения 1-100 мкс. 3 з. п. ф-лы. Иобретение относится к области медицины, а именно дерматологи...
2076754