Малютин А.М.

  Сущность изобретения: термоэлектрический приемник излучения содержит теплопроводящую подложку с контактными площадками, анизотропную пленку на основе висмута и защитный слой, а также вновь введенный адгезионный слой, расположенный между подложкой с контактными площадками и анизотропной пленкой, причем адгезионный и защитный слой выполнены из высокотемпературного теплопроводного материала...

 Использование: в оптоэлектронной технике для накачки полупроводниковых источников света. Сущность изобретения: устройство содержит внешний источник питания 1, внешний генератор допускающих импульсов 2, два зарядных элемента R1, R3, накопитель C1, нагрузку Rн, транзисторную матрицу NV1, динистор VT1, резистор R2. 1 ил. Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в...

 Использование: для создания ИК интерференционных покрытий различного функционального назначения. Сущность изобретения: при испарении из одного тигля испаряемый материал содержит теллура в количестве 55-58 ат.%, остальное - германий, причем испарение осуществляют электронным лучом при скорости конденсации не менее 7 нм/с. Предлагаемое изобретение относится к оптическому приборостроению, в...

 Использование: для изготовления диэлектрических и металлодиэлектрических зеркал преимущественно для ИК-области, в том числе для технологических CO лазерных систем. Сущность изобретения: в интерференционном зеркале, включающем подложку и нанесенное на нее покрытие из чередующихся слоев с низким значением показателя преломления из фторидов металлов и высоким значением - из германия, введены...

 Использование: в оптическом приборостроении при получении интерференционных покрытий, в т. ч. при создании выходных зеркал резонаторов мощных технологических СО лазеров. Сущность изобретения: в светоделительном интерференционном покрытии, имеющем вид ПОKrB, где П - подложка из селенида цинка, О - просветляющее покрытие, KrB - внешний слой с высоким значением показателя преломления с перем...

 Использование: в оптическом приборостроении для создания оптических элементов из полупроводниковых материалов, в том числе для ИК- лазерных систем. Сущность изобретения: в просветляющем покрытии вида П К1 Н К2 В, где П - подложка с показателем преломления от 2,2 до 4,0, Р - четвертьволновый на рабочей длине волны слой с низким значением показателя преломления из фторидов, В - четвертьволн...

 Покрытие состоит из чередующихся слоев с низким значением показателя преломления из фторида магния и с высоким показателем преломления из материала, прозрачного в ИК-области и имеющего показатель преломления не менее 2,2 и сжимающие напряжения в слое. В середину слоев MgF2 введена прослойка из двуокиси кремния. Прослойка составляет 0,2-0,5 оптической толщины слоя MgF2 за счет соответствую...

 Фазосдвигающая система (ФСС) состоит из трех или четырех зеркал. Каждое из зеркал поворачивает излучение в одной плоскости так, что суммарный поворот излучения равен 0o, и зеркала имеют величину разницы фазовых сдвигов, между S и Р отраженными компонентами излучения от 0 до 90o, а суммарная величина разности фазовых сдвигов на выходе ФСС равна 90o при номинальном значении углов падения из...