Переляев В.А.
Изобретатель Переляев В.А. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый переключающий элемент
(19)SU(11)692443(13)A1(51) МПК 6 H01L45/00, H01L35/00, H01L27/24(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи и устр...
692443
Полупроводниковый материал для переключающих элементов и критических терморезисторов
(19)SU(11)697016(13)A1(51) МПК 6 H01L45/00, G01K7/22(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И КРИТИЧЕСКИХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ Изобретение относится к полупроводниковым материалам, применяемым для изготовления переключающих элемен...
697016
Полупроводниковый материал для элементов памяти
(19)SU(11)736810(13)A1(51) МПК 5 H01L45/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вы...
736810
Полупроводниковый материал для переключающих элементов
(19)SU(11)778374(13)A1(51) МПК 5 C30B29/22, H01L45/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ Изобретение относится к полупроводниковым материалам и может быть использовано в вычислительной технике, средствах связи, автоматике...
778374
Способ получения диоксида ванадия
(19)SU(11)1175117(13)A1(51) МПК 5 C01G31/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИОКСИДА ВАНАДИЯ Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, в частности диоксида ванадия, который используется в терморезисторах, термореле, переклю...
1175117
Способ получения оксида ванадия (iii)
Изобретение относится к способам получения оксида ванадия (III) и позволяет повысить производительность процесса и обеспечить получение целевого продукта заданного состава. V2O5 и VH2 тщательно перемешивают в агатовой ступке, добавляют этанол и брикетируют в металлической пресс-форме. Брикет шихты помещают в стакан из молибденовой фольги, который в свою очередь загружают в вакуумную печь...
1329086
Способ получения -сиалона
Изобретение относится к разработке способа получения b - сиалона общей формулы Si6-0.75xAl0.67xOxN8-x , которые могут быть использованы в качестве керамических материалов в различных областях науки и техники. Цель изобретения - повышение выхода однофазного продукта при значении x = 2. Поставленная цель достигается спеканием в две стадии смеси порошков нитрида кремния, нитрида алюминия и о...
1522704
Способ получения диоксида титана
Изобретение относится к технологии сернокислотной переработки продуктов, содержащих соединения титана, с получением пигментного или металлургического диоксида титана и может быть использовано в металлургии, в химической и лакокрасочной промышленности. Способ получения диоксида титана включает разложение титан- и кремнийсодержащего сырья 70% серной кислотой при нагревании, растворение прод...
2077486