Слепцов Владимир Владимирович

 Использование: изобретение относится к микроэлектронике и может быть применено при конструкции полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в фоточувствительном элементе, содержащем полупрозрачный электрод, изолирующий слой, расположенный на полупроводниковой подложке, и электрод к полупроводниковому слою, изолирующий слой выполнен туннельно-прозрачным из аморфного углеродсодержащего...

 Использование: в области нанесения тонких пленок в вакууме путем пучково-плазменного распыления. Сущность изобретения: в результате предложенной реконструкции механизма размещения катода-мишени обеспечивается ее равномерное распыление по всей поверхности. Катод-мишень установлен в направляющих с возможностью линейного перемещения от привода, а вдоль направляющих установлены электретно-маг...

 Использование: для создания защитных покрытий на оптических элементах и изделиях электронной техники. Сущность изобретения: паро- или газообразные углеводородные соединения, предварительно смешанные с кислородом в свободном или связанном состоянии, ионизируют в газовом разряде с добавлением в разряд электронов до момента изменения характера разряда, о чем судят по падению напряжения разря...

 Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме. В основу изобретения положена задача создать магнитную систему, у которой напряженность и индукция в межполюсной области изменяются во времени и пространстве. Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде основных электромагнитов с замкнутыми сердечниками в форме швеллера, устан...

 Изобретение относится к оборудованию для плазменной технологии, а также к способам создания однородной плазмы с большой площадью рабочей поверхности. Способ создания плазмы однородной в рабочей зоне большой площади заключается в помещении внутрь вакуумной камеры волноведущей структуры (антенны), вдоль которой возбуждается поверхностная волна. Устройство генерации плазмы содержит узел гене...