Русаков Н.В.

 Использование: техника контроля полупроводников и может быть использовано для локального контроля параметров глубоких центров. Сущность изобретения: контролируемую полупроводниковую пластину помещают между двумя проводящими обкладками, одна из которых прозрачна, неравновесную разность потенциалов на барьерном переходе создают путем облучения полупроводниковой пластины через прозрачную обк...