Кравченко Л.Н.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах на полевых транзисторах. Целью изобретения является повышение быстродействия и коэффициента усиления по напряжению логического элемента (ЛЭ). ЛЭ содержит переключающий транзистор 1, диоды 2 сдвига уровня, источник тока на нагрузочном транзисторе 3. За счет введения транзисторов 8, 9 и диода 1...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке интегральных схем на полевых транзисторах. Цель изобретения - повышение быстродействия логического элемента на нормально открытых полевых транзисторах. Логический элемент содержит входной инвертор, состоящий из транзисторов 1 и 2, выходной истоковый повторитель, состоящий из транзистора 6, диодов 7 сдвига у...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия. Цель изобретения - повышение выхода годных путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя aрсенида галлия. Осуществляют формирование канавок для подзатворных областей нормально за...

 Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при производстве схем оперативных запоминающих устройств и логических элементов. Цель изобретения - расширение области применения за счет стабилизации напряжения низкого логического уровня. Преобразователь содержит входной дифференциальный каскад 1, выходные истоковые повторители 10, дополнительный истоковый п...

 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих и логических устройств. Целью изобретения является повышение быстродействия и увеличение диапазона ограничения высокого уровня выходного напряжения буферного каскада. Устройство содержит буферный каскад 1, повторитель 2, элемент 3 ограничения высокого уровня выходного напряжения, выполненн...

 Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000 , с фоновой концентр...

 Использование: техника контроля полупроводников и может быть использовано для локального контроля параметров глубоких центров. Сущность изобретения: контролируемую полупроводниковую пластину помещают между двумя проводящими обкладками, одна из которых прозрачна, неравновесную разность потенциалов на барьерном переходе создают путем облучения полупроводниковой пластины через прозрачную обк...