Симаков Н.Н.

 Использование: при нанесении полимерных покрытий для повышения скорости осаждения полимера в зоне послесвечения плазмы, например, в микроэлектронике для осаждения резистивных, пассивирующих диэлектрических покрытий, в других областях техники. Сущность изобретения: по крайней мере один из компонентов полимеробразующего газа дополнительно вводят в зону свечения плазмы для его активации. В к...

 Использование: микролитография. Сущность изобретения: способ заключается в том, что наносят слой резиста на подложку, формируют в нем скрытое изображение путем экспонирования. Нанесение слоя резиста на подложку осуществляют сухим методом плазменной полимеризации в две стадии, сначала формируют основной слой резиста непосредственно в плазме, а потом чувствительный слой - в зоне послесвечен...