Гладков П.В.

 Использование: в микроэлектронике при измерении и испытаниях микросхем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в устройстве для контроля электрических параметров, содержащем подложку 4, рамку 3, в центре отверстия которой размещен кристалл с измеряемой микросхемой 1, проводники 6 с измерительными контактными площадками 7 размещены на внешней поверхности диэлектрической пленки...