Суровцев Игорь Степанович

  Использование: в технологии изготовления полупроводниковых детекторов низкоэнергетических частиц и частиц с малой ионизирующей способностью. Сущность изобретения: способ заключается в создании на поверхности кремниевой пластины p-типа слоя SiO2 с формированием на границе раздела встроенного положительного заряда с индуцированным в приповерхностной зоне p-кремния инверсным n-слоем и выпол...

 Использование: изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к предспосевной обработке семян сельскохозяйственных культур для повышения всхожести и увеличения урожайности. Сущность изобретения: способ заключается в обслуживании семян серией от 400 до 1000 импульсов магнитного поля длительностью 10 - 40 мкс и амплитудой напряженности 70 - 150 кА/м. Устройство состоит из формировате...

 Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность способа заключается в том, что после проведения имплантации ионов в поверхностный слой полупроводниковых пластин их (пластины) подвергают обработке импульсным магнитным полем с последующим термическим отжигом при температуре 200-300oC в течение 30-15 мин. Причем имплантацию ионов осуществляют путем...