Муракаева Г.А.

 Использование: при разработке и изготовлении лазерных диодов, светодиодов и других приборов. Сущность: способ включает нанесение на полупроводниковую структуру диэлектрической пленки из двуокиси кремния, нанесение вспомогательного диэлектрического слоя, формирование локальных областей под контакты с помощью резистивной маски, нанесение контактного материала первого уровня, формирование ло...