Мухина Н.В.

 Использование: микроэлектроника, для создания БИС высокоэффективным использованием площади кристалла. Сущность изобретения: интегральная структура для БИС содержит полупроводниковую подложку с областями n- и p-типа проводимости для p- и n-канальных транзисторов, соответственно, выполненные в ней функциональные области с областями истоков-стоков p- и n-канальных транзисторов, затворами p-...