Каримова Н.Р.

 Изобретение относится к способу получения гидрида кремния, в частности дисилана, который может быть использован как источник кремния при изготовлении полупроводников. Сущность изобретения заключается во взаимодействии гексаэтоксидисилана с алкилалюминийгидридом, которое проводят в присутствии алкоксипроизводного алюминия или алкилалюмоксана в количестве 0,1-10 мас.% от массы исходного алк...