Сытие В.Н.
Изобретатель Сытие В.Н. является автором следующих патентов:

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Изобретение относится к кристаллографии, конкретнее к устройствам для выращивания монокристаллов из расплава, и может быть использовано, в частности, для получения монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации в вакууме. Цель: повышение возможности автоматизации работы устройства и уменьшение расхода воды на его охлаждение. Сущность изобретения: устройство для выращива...
2085625