Горкин Е.В.

 Использование: в производстве мощных полукремниевых резисторов таблеточного исполнения. Сущность: резистивный элемент, выполненный в виде диска из монокристаллического кремния п-типа проводимости, содержит радиационные дефекты с концентрацией от 31012 см-3 для кремния с удельным сопротивлением o= 700 Омсм до 31013 см-3 для кремния с удельным сопротивлением o=150 Омсм. Дефекты в кремнии со...