PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Галь А.И.

Изобретатель Галь А.И. является автором следующих патентов:

Способ получения низших алкильных соединений теллура

Способ получения низших алкильных соединений теллура

 Использование: при производстве полупроводниковых соединений и их тройных твердых растворов. Сущность изобретения: Продукт: соединение общей формулы (R)2Te, где R -низший алкил. Реагент I: диоксид теллура. Реагент II: соответствующий алкилгалогенид. Условия реакции: в водно-щелочном растворе в присутствии порошкообразного алюминия при 10-17oC при массовом отношении диоксида Te к Al, равно...

2086558