PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ивин А.Л.

Изобретатель Ивин А.Л. является автором следующих патентов:

Способ изготовления полупроводниковых структур

Способ изготовления полупроводниковых структур

 Использование: в технологии микроэлектроники, в частности, при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят периодическое облучение структур с нерабочей стороны потоком альфа-частиц от радиоизотопного источника излучения с частотой из миллигерцевого диапазона с равными полупериодами облучение-необлучение и производят регистрацию...

2087049