Ивонникк Шевалье[FR]
Изобретатель Ивонникк Шевалье[FR] является автором следующих патентов:

Осажденный диоксид кремния (варианты) и способ его получения
Изобретение относится к диоксидам кремния, находящимся в виде порошков, практически сферических шариков или гранул, эти диоксиды кремния имеют удельную поверхность СТАВ между 100 и 140 м2/г, маленький средний диаметр после дезагломерации ультразвуком и, возможно, такое распределение пор, что объем пор, составленный порами с диаметром, лежащим между 175 и 275 , составляет менее 50% объема...
2087417