Кочергина Л.Ф.

 Изобретение относится к оборудованию для получения полупроводниковых материалов и может быть использовано в установках для выращивания монокристаллов на затравку, например, кремния методом Чохральского. Устройство содержит камеру роста 1 с тиглем 2, разделенную горизонтальной перегородкой 3 с центральным отверстием 4 на нижнюю 5 и верхнюю 6 части, затравкодержатель 7, кассету 8 с гнездами...

 Использование: изобретение относится к получению полупроводниковых материалов, в частности к получению стержней поликристаллического кремния как исходного материала для выращивания монокристаллов кремния. Сущность изобретения: установка включает в себя разъемный реактор, вертикальную стойку, контейнер, подъемник, систему подачи компонентов, транспортировочную тележку. Верхняя часть реакто...