Андреас Антониус Йоханнес Мария Ван Ден Эльсхаут[NL]

 Изобретение относится к интегральным полупроводниковым схемам типа базовой пластины, содержащим ячейки памяти, расположенные рядами и колонками и предназначенные только для чтения. Эти ячейки разделены на первую и вторую группы, содержащие транзисторы первого и второго типов проводимости. При этом полупроводниковое запоминающее устройство содержит средства дешифрации с адресным управление...