Дирк Виллем Харбертс[NL]

 Применение: относится к микроэлектронике. Сущность: содержит полупроводниковую подложку, в которой сформированы два ряда параллельно расположенных n - канальных МОП - транзисторов, а в кармане n - типа проводимости сформированы два ряда параллельно расположенных p - канальных МОП - транзисторов. Каждая пара рядов включает общие электроды затворов в виде токопроводящих дорожек, расположенн...

 Изобретение относится к интегральным полупроводниковым схемам типа базовой пластины, содержащим ячейки памяти, расположенные рядами и колонками и предназначенные только для чтения. Эти ячейки разделены на первую и вторую группы, содержащие транзисторы первого и второго типов проводимости. При этом полупроводниковое запоминающее устройство содержит средства дешифрации с адресным управление...