Володин Н.М.

 Использование: технология производства компонентов электронной техники, в частности технология производства полупроводниковых тензорезисторов, а также при изготовлении датчиков механических величин. Сущность: немеханическим путем удаляют краевые участки тензочувствительного слоя моносульфида самария, в частности путем обработки в травителе следующего состава: 1 об. ч. концентрированной со...

  Использование: изобретение позволяет с высокой воспроизводимостью получать омические контакты к моносульфиду самария (МС) с низким сопротивлением, высокой стабильностью и большим сроком службы. Это важно для МС, чувствительного к механическим деформациям. Сущность: на МС в местах контактных площадок в течение 50 - 100 с со скоростью 10 - 20 в качестве геттера наносят титан. В качестве в...

 Назначение: технология изготовления полупроводниковых термо- и тензорезисторов. Сущность изобретения: контактные площадки резисторов подвергают обработке давлением индентора. Одновременно измеряют изменение электросопротивления резистора. Воздействие прекращают, когда изменение электросопротивления уменьшится до 0,01 Ом. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к технологии элементной баз...

  Изобретение относится к измерительной технике и имеет целью повышение точности и уменьшение габаритов магниторезистивного датчика перемещений. Последний содержит двухполюсный постоянный магнит 1, выполненный в виде прямоугольной рамки или полого цилиндра, в геометрическом центре которых размещено диэлектрическое основание с закрепленными на нем двумя парами магниторезиствных элементов, к...

 Использование: при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария. Сущность: способ заключается в нанесении на подложку моносульфида самария при температуре подложки 100-200 oC двухслойного металлического покрытия со скоростью , причем первый слой, хром, наносят непосредственно на подложку в течение 50-100 с, а второй слой, кобальт - поверх слоя хрома...