Ханов Ю.А.

  Использование: изобретение позволяет с высокой воспроизводимостью получать омические контакты к моносульфиду самария (МС) с низким сопротивлением, высокой стабильностью и большим сроком службы. Это важно для МС, чувствительного к механическим деформациям. Сущность: на МС в местах контактных площадок в течение 50 - 100 с со скоростью 10 - 20 в качестве геттера наносят титан. В качестве в...

 Использование: при формировании металлизации полупроводниковых приборов на основе моносульфида самария. Сущность: способ заключается в нанесении на подложку моносульфида самария при температуре подложки 100-200 oC двухслойного металлического покрытия со скоростью , причем первый слой, хром, наносят непосредственно на подложку в течение 50-100 с, а второй слой, кобальт - поверх слоя хрома...