Шкляев А.А.

 Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем,...

 Способ получения жидких водорастворимых продуктов из бурого угля может быть использован в угольной и химической промышленностях. Повышение выхода жидких водорастворимых продуктов и упрощение способа достигается окислением предварительно обработанного щелочным реагентом бурого угля в катодной камере диафрагменного электролизера, где одновременно при катодной плотности тока 100-375 А/м2 пол...