Ровинский Александр Павлович

 Использование: в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Сущность способа заключается в том, что после проведения имплантации ионов в поверхностный слой полупроводниковых пластин их (пластины) подвергают обработке импульсным магнитным полем с последующим термическим отжигом при температуре 200-300oC в течение 30-15 мин. Причем имплантацию ионов осуществляют путем...