Пашковский А.Б.

 Применение: изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для генерации СВЧ-сигналов. Сущность изобретения: изобретение позволяет снизить фазовые (частичные) шумы генератора, что достигается тем, что активный слой полевого транзистора с барьером Шотки выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затво...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: изобретение обеспечивает улучшение линейности характеристик устройств на гетероструктурных полевых транзисторах и снижение модуляционных шумов этих устройств. В полевом транзисторе на гетероструктуре часть слоя полупроводникового материала, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 30 нм, выполнена с концентрацией легирую...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: в полевом транзисторе с затвором Шотки, выполненном на полуизолирующей подложке с неоднородно легированным активным слоем, часть активного слоя, расположенная на расстоянии от затвора, превышающем 0,08 мкм, выполнена с концентрацией легирующей примеси, большей 21017 см-3, и поверхностной плотностью этой примеси /1,3 - 2,5/ 1012 см-2,...