Роенков Александр Дмитриевич

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение друг напротив друга испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности по меньшей мере одного затравочного монокристалла карбида кремния заданного политипа, образующих зону роста...

 Использование: способы выращивания монокристаллических полупроводников для электронной промышленности, в частности промышленное производство объемных монокристалллов нитридов металлов, принадлежащих к ЗА группе химических элементов, и нитридов переменного состава на их основе. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания монокристалла нитрида по меньшей мере одного металла, пр...