Темкин Леонид Иосифович

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение друг напротив друга испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности по меньшей мере одного затравочного монокристалла карбида кремния заданного политипа, образующих зону роста...