Добровенский Владимир Вениаминович

 Изобретение относится к области получения полупроводникового материала. Выращивание ведут методом Чохральского с расплава, содержащего фосфор. Проводят подпитку расплава компенсирующей примесью бора по программе с учетом изменения концентрации фосфора в расплаве. Дано математическое выражение для расчета этого изменения. 3 з.п.ф-лы, 1 табл. Изобретение относится к области получения полупр...

 Использование: изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения бестигельным методом полупроводникового кремния в форме широких пластин. Сущность изобретения: для повышения рентабельности и качества получаемого материал предложен способ, позволяющий получать без тигля и устройства для подпитки расплава широкие пластины кремния...