Кировская И.А.

 Область использования изобретения - изобретение относится к области технической физики и может быть использовано для обеспечения вакуумной теплоизоляции в параметрическом термостате. Сущность изобретения заключается в том, что в композиции для теплозащиты кварцевого генератора, содержащей сорбент и газообразный теплоноситель, в качестве сорбента использован силикагель, а в качестве теплон...

 Изобретение относится к области исследования сорбционных свойств сорбентов и может быть использовано для подбора сорбента, очищающего нефтепродукты от паров воды. Сущность изобретения состоит в том, что в способе определения поглотительной способности сорбентов по отношению к парам воды, включающем погружение мелкодисперсного сорбента в раствор, перемешивание, выдержку его до достижения р...

 Датчик содержит полупроводниковое основание с металлическими электродами на его поверхности. Основание выполнено в виде монокристаллической пластины селенида цинка, легированного цинком. Датчик обладает повышенной чувствительностью и высокотехнологичен в изготовлении. 2 ил. Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для измерения...

 Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для измерения влажности различных газов. В известном датчике влажности газов, содержащем подложку и полупроводниковое основание, подложка выполнена из пьезокварцевого резонатора АТ-среза, а полупроводниковое основание - из поликристаллической пленки селенида цинка, нанесенной на электрод...

 Использование: в области полупроводникового материаловедения, преимущественно в технологии обработки теллурида кадмия и ртути, и может быть использовано в полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является сохранение объемных и поверхностных электрофизических свойств теллурида кадмия и ртути в процессе очистки и повышение надежности способа. Сущность изобретения: для...

 Изобретение относится к области газового анализа. Сущность изобретения состоит в том, что в известном датчике влажности газов, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание выполнено из поликристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия. Технический результат: повышение чувствительности датчика и технол...

 Использование: в области газового анализа, в частности для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности датчика, технологичности его изготовления, снижении рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в том, что в известном полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нане...

 Использование: изобретение относится к газовому анализу, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика, технологичности его изготовления, снижение рабочей температуры. Сущность изобретения состоит в том, что в известном полупроводниковом газовом датчике, содерж...

 Использование: в области газового анализа, для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Технический результат - повышение чувствительности датчика, технологичности его изготовления, снижение рабочей температуры. Сущность изобретения: в полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание...

 Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания монооксида углерода. Технический результат изобретения - повышение чувствительности датчика, снижение его рабочей температуры. Сущность: в полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими э...

 Изобретение относится к газовому анализу, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Технический результат изобретения - повышение чувствительности датчика, технологичности его изготовления, снижение рабочей температуры. В полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлич...

 Использование: в области газового анализа, для регистрации и измерения содержания паров воды. Сущность изобретения состоит в том, что в известном полупроводниковом газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание выполнено из монокристаллической пластины фосфида индия. Технический результат изобретения заключает...