Аветисян Г.Х.

 Использование: создание гибридных фоточувствительных схем. Сущность изобретения: на первой стороне предметного столика крепится первая кросс-плата с линейкой фотоприемников, на второй стороне - плата коммутатора, на третьей стороне - вторая кросс-плата и плата разъема. После этого производится разварка проволочками контактных площадок фотоприемников с контактными площадками первой кросс-п...

 Изобретение служит для изготовления фотоприемников. Сущность: исходную кремниевую подложку p+-типа проводимости, легированную галлием, отжигают для получения на поверхности слоя р-типа. В случае проведения отжига в нейтральной или окислительной газовой среде при 1150 - 1230oС резкость p+-р-переходов выше, чем в случае отжига в вакууме при тех же температурах. Экспериментальным путем найде...

 Применение: изобретение относится к области электронной техники, в частности к оптоэлектронике. Сущность изобретения: фотоприемники многоэлементного фотоприемного устройства дополняются накапливающим заряд элементом, в частности МДП структурой или МДП структурой с низкоомным слоем полупроводника, под слоем диэлектрика. 2 з. п. ф-лы, 3 ил. Изобретение относится к области микроэлектроники и...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к приборам с зарядовой связью. Сущность изобретения: в приборе с зарядовой связью, включающем кремниевую подложку, подзатворный слой изолятора, поликремниевые электроды фаз с окисленными поликремниевыми шинами и контактные окна к ним, под контактными окнами между подзатворным слоем изолятора и прикремниевыми шинами размещены участки оки...

 Изобретение относится к электронике. Существо изобретения: в устройстве, включающем рентгеновский излучатель с питающим его высоковольтным источником, многоэлементный твердотельный формирователь рентгеновских изображений (МТФРИ), штатив с механической системой сканирования с жестко крепленным на нем в одной горизонтальной плоскости рентгеновским излучателем и МТФРИ в позиции, когда рентге...

 Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоэлементных фотоприемников. Техническим результатом повышение пороговой чувствительности гибридной фоточувствительной схемы (ГФС) в условиях повышенной фоновой облученности. Матричный фотоприемник (МФП) в ГФС имеет X-Y-адресацию, при этом каждый столбец МФП электрически связан с соотве...