Болотов В.Н.

 Использование: полупроводниковое и ядерное приборостроение. Сущность изобретения в полупроводниковом детекторе заряженных частиц на основе арсенида галлия, содержащем подложку из арсенида галлия, на противоположных сторонах которой выполнены слои из материалов n+ и p+ типов проводимости и металлические электроды, ориентация кристалла арсенида галлия выбрана (100), поверх слоя из материала...