Кобозев Г.А.

 Изобретение относится к области тестирования и измерения параметров полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе тестирования токов утечек транзистора на первой стадии пропускают эмиттерный ток через прямосмещенный эмиттерно-базовый p-n переход при закороченных коллекторе и базе. На второй стадии пропускают коллекторный ток через прямосмещенный коллекторно-базовый переход п...