PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Криворучко В.А.

Изобретатель Криворучко В.А. является автором следующих патентов:

2-ацетонил-5,5-диметил-1,2,3,4,5,6,7,8-октагидронафталин в качестве компонента парфюмерной композиции, способ его получения, 2,6-диметил-2,6,10-тридекатриен-12-он в качестве промежуточного продукта в синтезе 2-ацетонил-5,5-диметил-1, 2,3,4,5,6,7,8-октагидронафталина

2-ацетонил-5,5-диметил-1,2,3,4,5,6,7,8-октагидронафталин в качестве компонента парфюмерной композиции, способ его получения, 2,6-диметил-2,6,10-тридекатриен-12-он в качестве промежуточного продукта в синтезе 2-ацетонил-5,5-диметил-1, 2,3,4,5,6,7,8-октагидронафталина

  Использование: в качестве компонента в парфюмерной композии. Сущность изобретения: продукт - 2-ацетонил-5, 5-диметил-1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8-октагидронафталин. БФ C15H24O т.кип. 100 -102°С. Реагент 1 : 2, 6, 10-тридекатриен-12-он, т.кип. 133 - 135°С, выход 53%, циркулируют при 105 - 115°С в среде толуола в присутствии фосфорной кислоты, причем реагент 1 получают конденсацией линалоола с в...

2035448

Способ формирования топологии интегральной микросхемы

Способ формирования топологии интегральной микросхемы

 Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч. гибридных, интегрированных на целой пластине и т.п.). Сущность: в способе формирования топологии ИС с помощью термочувствительной пленки под воздействием лазерного излучения формируют топологический рисунок, а затем оставшийся слой термочувствительной пленки либ...

2098885

Способ формирования топологии интегральной микросхемы

Способ формирования топологии интегральной микросхемы

 Изобретение относится к производству микросхем и может быть использовано при формировании функциональных слоев микросхем (в т.ч. гибридных, интегрированных на целой пластине и т.п.). Сущность: в способе формирования топологии ИС под воздействием лазерного излучения в активной газовой среде на поверхности материала формируют затравочный слой, а затем в другой газовой среде под воздействием...

2099810