Трубников В.М.

  Использование: в области кристаллографии при выращивании кристаллов сложного полупроводника из паровой фазы методом осаждения в низкотемпературных установках. Сущность изобретения: устройство содержит ампулу для исходного вещества, размещенную в корпусе. Коаксиально ампуле установлен нагреватель. Между нагревателем и ампулой расположено средство регулирования градиента температуры, выпол...

 Изобретение относится к электронике. Существо изобретения: в устройстве, включающем рентгеновский излучатель с питающим его высоковольтным источником, многоэлементный твердотельный формирователь рентгеновских изображений (МТФРИ), штатив с механической системой сканирования с жестко крепленным на нем в одной горизонтальной плоскости рентгеновским излучателем и МТФРИ в позиции, когда рентге...