Астапов Борис Александрович

  Использование в микроэлектронике в частности для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы Сущность изобретения на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами наносят последовательно слой небпр $%; породного металла VI - VIII группы толщиной 02 - 25 мкм и слой металла III - IV группы толщиной 10 - 300 мкм и после разделения пластины механическим...

  (19) RØÄ .(11) (51)5 НО1Ьг1 78 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам (21) 5028383/25 (22) 24.0292 (46) 15.1093 Бюл. Йа 37-38 (76) Коломицкий Николай Григорьевич; Астапов Борис Александрович (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ (57) Использование: в микроэлектронике, в частности в процессах разделения попупро...

 Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковой пластины со сформированными структурами полупроводниковых приборов наносят слой металла омического контакта. По этому слою формируют маску фоторезиста по разделительным дорожкам. На свободные участки наносят защитное механическое покрытие, удаляют маску фоторезиста. Химически разделяют пластину на кристаллы. Защищают образовавшиеся бо...

 Сущность изобретения: на полупроводниковую пластину со сформированными структурами полупроводниковых приборов наносят слой металла омического контакта, а сверху слой металлического защитного покрытия. Механически разделяют полупроводниковую пластину на кристаллы. Защищают образовавшиеся боковые поверхности полимерным компаундом, химически удаляют металл защитного покрытия. В качестве мета...

  Использование: в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых кристаллов. Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковых пластин наносят слой неблагородного металла VI - VIII группы или их оплавы толщиной 0,2 - 2,5 мкм, поверх его наносят слой защитного металла толщиной 0,5 - 30,0 мкм и после механического разделения пластины на кристаллы и промывки в травителе проводят за...

  Использование: в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых кристаллов. Сущность изобретения: на поверхность полупроводниковых пластин наносят слой неблагородного металла VI - VIII группы толщиной 0,2 - 0,5 мкм, формируют с помощью фоторезистора необходимый рисунок. На незащищенные поверхности наносят второй слой металла защитного покрытия толщиной 0,5 - 30,0 мкм, химической рез...