Сероусов Игорь Юрьевич

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией эпементоа Сущность изобретения: при изготовлении структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек, формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями, скрытый слой, слой диоксида кремния и сл...

  Использование: микроэлектроника технология изготовления структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементоа Сущность изобретения: в способе получения структур с диэлектрической изоляцией элементов проводят механическую обработку кремниевых подложек формируют на поверхности монокристаллической подложки рельеф с углублениями и скрытый слой, формируют слой диоксида...

 Использование: технология изготовления интегральных схем. Сущность изобретения: способ изготовления структур интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов включает соединение двух кремниевых пластин с использованием соединительного слоя следующего состава, мол.%: диоксид кремния, полученный плазмохимическим способом, 0,077Т-14,216, оксид бора остальное до 100% , где Т - температ...

 Использование: в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов. Сущность изобретения: осуществляют соединение кремниевых подложек, в соединительный слой входит слой поликристаллического кремния, диоксида кремния, соединения боросиликатной системы, полученные синтезом из раствора оксида бора в органической среде. Термообработка структуры осуществляется в к...