Бузанов О.А.(RU)

 Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно лантангаллиевого силиката, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и используемого для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность способа состоит в выборе ориентации затравочного кристалла, обеспечивающей выращивание методом Чохральского монокрис...

 Изобретение может быть использовано для изготовления устройств на объемных и поверхностных акустических волнах. Сущность изобретения состоит в том, что термообработку проводят при температуре в диапазоне 1300-1673 К в среде аргона в течение 20-36 ч при давлении 1,1-1,8 атм. Способ позволяет получать монокристаллы диаметром не менее 2 мм и массой больше 3,5 кг, свободные от механических на...

 Способ предназначен для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, обладающих пьезоэлектрическим эффектом. Техническим результатом изобретения является получение кристаллов, из которых впоследствии вырезают пластины с минимальными потерями материала. Сущность способа состоит в использовании в качестве материала расплава соединения La3Ga5,5Me0,5O14, Ме-тантал либо нио...