Санкин В.И.

 Использование: в полупроводниковых приборах, в частности в фотоприемнике на карбиде кремния, работающих в УФ спектральном диапазоне. Сущность: в фотоприемнике потенциальный барьер выполнен в виде барьера Шоттки, между эпитаксиальным слоем карбида кремния и слоем металла в барьере Шоттки расположен слой собственного окисла толщиной в его рабочей области. 1 ил. Изобретение относится к полу...

  Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, локации, медицинской технике в качестве генератора, усилителя, фотоприемника. Сущность изобретения: полупроводниковая структура генератора содержит два p-n-перехода, плоскости которых параллельны слоям сверхрешетки слаболегированной области, причем последняя снабжена электродом. 1 ил. Изобрет...

  Применение: изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, включая СВЧ-диапазон, а также в радиотехнических устройствах различного назначения. Сущность изобретения: прибор имеет значительно более широкие возможности за счет использования его не только в качестве генератора, но и ключа и селектора импульсов. Это достигается выбором материа...