Кулинченко В.А.

 Устройство для литья пластин или тонкостенных профилей с упорядоченной структурой. Сущность изобретения: устройство состоит из поршня, размещенного внутри формы и повторяющего профиль поперечного сечения внутренней полости формы с возможностью свободного перемещения в ней под собственным весом, который должен превышать усилие, необходимое для перемещения расплава из тигля в форму в направ...

 Предлагается способ выращивания алмазов осаждением углерода из газовой фазы на нагретую подложку. Способ состоит в том, что диссоциированную газовую смесь, содержащую углерод и водород, получают при давлении 100 - 300 мм рт. ст. и затем смесь подают в вакуумную камеру с давлением в ней 10-6-10-9 мм рт. ст, формируя узконаправленный газовый факел в направлении поверхности закрепленной подл...

 Использование: получение пластин из расплавов материалов, преимущественно полупроводников, применяемых для элементов солнечных батарей, подложек для интегральных схем. Сущность: способ литья пластин, например, из кремния, включает последовательность технологических операций: формирование жидкой пленки из исходного материала на жидкой подложке в ванне; одновременное охлаждение подложки сни...

 Изобретение может быть использовано в металлургии, а именно при получении изделий из кристаллических материалов и их сплавов. Сущность: в способе литья пластин и тонкостенных профилей с упорядоченной структурой материала, осуществляемом путем направленной кристаллизации переохлажденного расплава от затравки с применением формы из несмачиваемого расплавом материала, формирование изделия из...

 Сущность изобретения: устройство состоит из камеры для получения парогазовой смеси, вакуумной камеры и разделительного клапана между ними. Эффективность процесса осаждения кристаллов на подложке повышается за счет того, что в канале, соединяющем камеры, размещена форсунка, обеспечивающая формирование газового потока в виде узконаправленного газового факела в направлении подложки, выполнен...