Гусельников Н.А.

 (19)SU(11)605491(13)A1(51)  МПК 6    H01L29/86(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД Изобретение относится к полупроводниковым диодам, предназначенным для умножения частоты. Умножители частоты на полупроводниковых диодах широко применяются для генерации электр...

 Изобретение относится к электронной технике, а именно к сверхпроводниковым туннельным диодам. Изобретение обеспечит повышение максимальной рабочей частоты и динамического диапазона сверхпроводникового туннельного диода (СТД), что достигается тем, что полупроводниковая прослойка между сверхпроводниковыми электродами выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по край...

 Применение: изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для генерации СВЧ-сигналов. Сущность изобретения: изобретение позволяет снизить фазовые (частичные) шумы генератора, что достигается тем, что активный слой полевого транзистора с барьером Шотки выполнен со ступенчатым профилем легирования, причем отношения толщины слоя под затво...

 Использование: электронная техника. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ полосковые элементы из высокотемпературного сверхпроводника закреплены на диэлектрической подложке с помощью прилегающей к ним диэлектрической пластины с канавками, повторяющими топологический рисунок схемы. Канавки имеют глубину 5 мкм ttмак, где tмак - толщина полоскового элемента, и ширину, равн...

 Изобретение относится к электронной технике. Изобретение позволят снизить потери и увеличить добротность полоскового резонатора СВЧ, что достигается тем, что полосковый проводник и проводящий экран выполнены из брусков монокристаллического высокотемпературного сверхпроводника, которые закреплены на диэлектрической подложке с помощью диэлектрических пластин. 1 ил. Изобретение относится к э...