Тадевосян С.Г.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых ИС в качестве элемента памяти. Целью изобретения является повышение степени интеграции и надежности ячейки памяти. Элемент памяти состоит из кремниевой подложки с легированным слоем 1, первого диэлектрического слоя 2, слоя 3 рекристаллизованного поликремния, третьего диэлектрического слоя 4, второго диэ...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых ИС в качестве ячейки памяти. Целью изобретения является повышение степени интеграции и надежности ячейки памяти. Цель достигается за счет того, что динамическая ячейка памяти содержит четвертый и пятый диэлектрические слои, второй проводящий слой из тугоплавкого металла, причем в пятом диэлектрическом...