Амальская Р.М.

 Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для контроля рекомбинационных параметров стандартных полупроводниковых пластин - скорости поверхностной рекомбинации и объемного времени жизни неосновных носителей заряда. Цель изобретения обеспечение возможности раздельного определения объемного времени жизни и скорости поверхностей...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля времени жизни неравновесных носителей заряда в стандартных двусторонне полированных пластинах. Сущность изобретения: способ определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах, основанный на облучении пластин зондирующим ИК-излучением с длиной волны из...